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IDB4.5/TN-1G
IDB4.5-TN-1G--.jpg
IDB4.5/TN-1G
IDB4.5/TN-1G集成驱动模块(以下简称驱动模块),用于驱动单个大功率IGBT或MOS。具有输入输出7000V高隔离耐压。驱动模块具有短路保护,还设有盲区、软启动等调节引脚,方便设计调试。
标准产品通用技术参数:

一、概述:

IDB4.5/TN-1G集成驱动模块(以下简称驱动模块),用于驱动单个大功率IGBTMOS。具有输入输出7000V高隔离耐压。驱动模块具有短路保护,还设有盲区、软启动等调节引脚,方便设计调试。

 

二、产品特点:

采用SPI单列直插封装;

• 故障保护盲区和软关断时间外部可调;

• 输入输出信号电气隔离;

• 保护阈值电压外部可调;

• 带有过流及短路保护和故障输出功能;

  

三、极限特性:

参数

测试条件

数值

单位

逻辑电源电压

VCC


6.0

V

输入信号电压

VSIG

VCC=5.0V,30KHz

15

V

驱动电源电压

VDD


26

V

瞬态输出峰值电流

Io on

TON=1uS,D=0.01

+40

A

Io off

-40

输出功率

Po


4.5

W

工作频率

F


80

KHz

绝缘耐压

Viso

AC 50Hz 1min

7000

V

 

四、电气参数:

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

输入参数:

逻辑电源电压(VCC


4.5

5.0

6.0

V

逻辑电源电流(ICC



10


mA

电源电压(VDD


23.0

24.0

25.5

V

电源电流(IDD




210

mA

输入信号(VSIG


3.0

5.0

15.0

V

信号输入电流(ISIG

100KHzVin=H



1.0

mA

信号频率范围(fSIG


0


80

KHz

占空比


0


100

%

输出特性

输出电压(VO

Vin   =15.0V

VO+

14

15

16

V

VO-

-7

-8

-9

V

输出电流(IO

Ton=1μS  

D=0.01

IO+



40.0

A

IO-



-40.0

A

延迟时间

IOH=10mA

tDT   on


500

800

nS

tDT   off


500

700

nS

栅极电阻(Rg

外设置

0.5



Ω

保护特性

保护阈值(VOCP

可外设置

典型值为缺省值

4.2


14

V

保护盲区(Tb

可外设置

最小值为缺省值

4.0


11

μS

软关断时间(Ts

可外设置

最小值为缺省值

3.5


11

μS

故障信号延时(TALM



1.0


μS

故障输出端电流(IALM

吸收电流



10

mA

其他

绝缘耐压

AC/50HZ/1min



7000

Vrms

环境温度


-40


85

储存温度


-50


125

 

五、原理框图:

1.png

 

六、引脚定义及功能说明:

2.png

 

序号

表示符号

说明

1

VSIG+

驱动信号输入正电源输入正

2


空脚

3


空脚

4

VCC+

驱动信号输入地

5

GND

电源、信号地

6

ALM

故障保护报警输出端;低电平有效。

7

RESET

模块复位引脚。故障后高电平复位。


8

ROCP

过流保护阈值调整端。

9

Cs

保护软关断时间调整端。

10

VO+

驱动输出正。

11

VO-

驱动输出负。

12

VDD

驱动电源正端。

13

-VEE

驱动电源负端。

14

Cb

保护盲区时间调整端。

15

VOCP

过流电压检测端。

16

COM

驱动电源公共端。

   

七、调节说明:

6.png

 

电压下降到90%的时间。盲区时间是为了避免检测端干扰或其它扰动导致保护电路误动作。该时间可以通过14脚外接电容调节,具体调节可参照下表:

Tb(uS)

Rp(KΩ)

4.7

10

47

100

200

缺省

 

 

Cb(pF)

缺省

4.4

3.2

2.3

1.9

1.8

1.7

47

5.8

4.4

2.8

2.5

2.4

2.2

100

7.9

5.9

3.9

3.3

3.1

2.9

220

12.7

9.2

5.4

4.8

4.3

4.0

470


16.4

9.5

7.5

6.8

6.2

1000



17.2

14.2

12.8

10.9

 每个产品具体数值会有一定误差,以实际测量所得数值为准。


 

(2)       软关断时间调整:

软关断时间是驱动波形从90%电压降到COM电压的时间,具体调节可参照下表:

 

软关断时间调整参考表

    

     nF

Fb

(μS)

缺省

5.2

0.47

5.8

1.0

6.6

1.5

7.4

2.2

8.8

(3)       过流保护阈值调整:

    当主功率回路中电流过大或是发生短路时,OCP脚电压会相应升高,当电压达到内部保护阈值后,电路启动保护功能。这一阈值可以通过11VOCP来进行调节·,119脚之间接电阻可以提高VOCP118脚之间接电阻可以降低VOCP,具体调节关系如下表:


保护阈值调整参考表

RpKΩ

缺省

200

100

47

10

4.7

VOCP

4.2

5.1

5.6

6.5

10.2

11.7


八、测试电路:

4.png


推荐参数:

Vsig=5V   VCC5V,实际应用时推荐外接100μF/35V电解电容。

C5C6 C7C847μF/35V,选用低ESR电解电容;

R54.7-10KΩ 1/4W;

R3:外部阈值调节电阻,可选用1/4W电阻,具体数值参照7)节说明;

Rs1Rs2:驱动栅极限流电阻,建议在0.5Ω-22.0Ω之间选择;

R4 330Ω 1/4W

R2 220Ω 1/4W

D1D2UF4007,当主路电压高于600V时,建议用两个串联使用;

DZ115-30V  1/2W稳压管;

DZ2DZ318V  1.0W稳压管。

 

九、外形尺寸:

 5.png


 


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